vacama (vacama) wrote in i_future,
vacama
vacama
i_future

Ещё раз про 45 нм

Первый пост про 45 нм вызвал довольно оживлённую дискуссию - это вдохновило меня на написание второго поста. Пользуюсь случаем, чтобы сказать, что мы с уважением относимся ко всем высказанным мнениям - как "за", так и "против". По крайней мере, тема вызывает интерес. 
Итак, пост № 2. 
На снимке изображён транзистор, изготовленный по технологии 45 нм - с огромным увеличением.


Тёмные пятна слева, в центре и справа - исток, затвор и сток соответственно (возможно, кто-то помнит, что это такое :)).  Тонюсенькая чёрная линия, пересекающая кадр по горизонтали, - подзатворный диэлектрик. Он-то и является главным технологическим достижением на сегодняшний день, т.к. изготовлен из материала с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) на основе гафния. Использование такого материала позволило драматически уменьшить паразитные токи и таким образом значительно повысить "энерго-эффективность" процессоров, изготавливаемых по данной технологии. Если ноутбуки станут тоньше и тише - этим мы будем обязаны гафнию :)

Subscribe
Buy for 100 tokens
Buy promo for minimal price.
  • Post a new comment

    Error

    Anonymous comments are disabled in this journal

    default userpic

    Your reply will be screened

    Your IP address will be recorded 

  • 1 comment