* HIT - heterojunction cell technology: солнечные элементы на основе гетероперехода.
Специально для i-future:
(солнечная арка, которая по идее должна генерировать 0.5 МВт от 5000 модулей)

На дворе кризис фотовольтаики, финансовый кризис, вот-вот будет война в заливе, метеорит в Челябинске, а японцы ставят новый рекорд.
Panasonic выдал отличный результат в области HIT (гетерогенный переход) солнечных элементов. Итак, краткий пересказ прессрелиза от Панасоник:
24.7% это на абсолютных 0.8% выше предыдущего рекорда и на 0.5% выше рекорда для "традиционной" кремниевой технологии.
Толщина кремниевой пластины: 98 мкм, площадь солнечного элемента около 100 кв. см.
Ниже показана структура типичного HIT элемента:

Специально для i-future:
(солнечная арка, которая по идее должна генерировать 0.5 МВт от 5000 модулей)
На дворе кризис фотовольтаики, финансовый кризис, вот-вот будет война в заливе, метеорит в Челябинске, а японцы ставят новый рекорд.
Panasonic выдал отличный результат в области HIT (гетерогенный переход) солнечных элементов. Итак, краткий пересказ прессрелиза от Панасоник:
24.7% это на абсолютных 0.8% выше предыдущего рекорда и на 0.5% выше рекорда для "традиционной" кремниевой технологии.
Толщина кремниевой пластины: 98 мкм, площадь солнечного элемента около 100 кв. см.
Ниже показана структура типичного HIT элемента:
Свойства рекордного солнечного элемента:
Open voltage (Voc) | 0.750 V |
Short-circuit current (Isc) [short-circuit current density | 4.02 A [39.5 mA/cm²] |
Fill factor (FF) | 0.832 |
Cell transfer efficiency | 24.7% |
Cell surface area | 101.8 cm² |
Это важная веха: HIT технология продемонстрировала свой высокий потенциал. Будущее за HIT!
(источник)
Оригинал взят у